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GT20J341,S4X(S

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

GT20J341,S4X(S

封装:

TO-220SIS

批次:

-

数据手册:

-

描述:

DISCRETE IGBT TRANSISTOR TO-220S

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 150°C (TJ)
Input Type Standard
Test Condition 300V, 20A, 33Ohm, 15V
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns
Switching Energy 500µJ (on), 400µJ (off)
Current - Collector (Ic) (Max) 20 A
Mounting Type Through Hole
Product Status Active
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600 V
Td (on/off) @ 25°C 60ns/240ns
Supplier Device Package TO-220SIS
Current - Collector Pulsed (Icm) 80 A
Series -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 20A
Package / Case TO-220-3 Full Pack
Power - Max 45 W
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tube
IGBT Type -

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