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GT6K2P10IH

Goford Semiconductor

型号:

GT6K2P10IH

封装:

SOT-23-3

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 253 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 10 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 670mOhm @ 1A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Supplier Device Package SOT-23-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V
Power Dissipation (Max) 1.4W (Tc)
Series -
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1A (Tc)
Mfr Goford Semiconductor
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)

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