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IPG20N06S3L-23

Infineon Technologies

型号:

IPG20N06S3L-23

品牌:

Infineon Technologies

封装:

PG-TDSON-8-4

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET 2N-CH 55V 20A TDSON-8

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	2950pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	23mOhm @ 16A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.2V @ 20µA
Supplier Device Package	PG-TDSON-8-4
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Series	OptiMOS™
Package / Case	8-PowerVDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	45W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	20A
Mfr	Infineon Technologies
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	IPG20N