首页 / FET、MOSFET 阵列 / MSCSM120AM03CT6LIAG
minImg

MSCSM120AM03CT6LIAG

Microchip Technology

型号:

MSCSM120AM03CT6LIAG

封装:

SP6C LI

批次:

-

数据手册:

-

描述:

PM-MOSFET-SIC-SBD~-SP6C LI

购买数量:

递送:

1.webp 4.webp 5.webp 2.webp 3.webp

付款:

paypal.webp paypal02.webp paypal03.webp paypal04.webp

库存 : 1

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

  • 1

    $1262.7305

    $1262.7305

请发送询价,我们将立即回复。

Certif02 Certif07 Certif03 Certif04 Certif08 Certif10 Certif09 Certif05 Certif06
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商,销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件,确保所有产品均经过严格质量控制,符合最高标准。 如有兴趣了解 MSCSM120AM03CT6LIAG 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款,请随时联系我们。为便于处理您的询价,请将 MSCSM120AM03CT6LIAG 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 MSCSM120AM03CT6LIAG 的最新报价。 MSCSM120AM03CT6LIAG 最新信息:#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -40°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature -
Configuration 2 N Channel (Phase Leg)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 30200pF @ 1kV
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 2320nC @ 20V
Mounting Type Chassis Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 3.1mOhm @ 400A, 20V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.8V @ 10mA
Supplier Device Package SP6C LI
Drain to Source Voltage (Vdss) 1200V (1.2kV)
Series -
Package / Case Module
Technology Silicon Carbide (SiC)
Power - Max 3.215kW (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 805A (Tc)
Mfr Microchip Technology
Package Tube
Base Product Number MSCSM120

MSCSM120AM03CT6LIAG 标签

  • MSCSM120AM03CT6LIAG
  • MSCSM120AM03CT6LIAG PDF
  • MSCSM120AM03CT6LIAG 数据表
  • MSCSM120AM03CT6LIAG 规格
  • MSCSM120AM03CT6LIAG 图片
  • 买 MSCSM120AM03CT6LIAG
  • MSCSM120AM03CT6LIAG 价格
  • MSCSM120AM03CT6LIAG 分类
  • MSCSM120AM03CT6LIAG 关联产品
  • MSCSM120AM03CT6LIAG 关联新闻