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MSCSM120HM31T3AG

Microchip Technology

型号:

MSCSM120HM31T3AG

品牌:

Microchip Technology

封装:

批次:

数据手册:

描述:

PM-MOSFET-SIC-SP3F

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-40°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature	-
Configuration	4 N-Channel (Full Bridge)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	3020pF @ 1000V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	232nC @ 20V
Mounting Type	Chassis Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	31mOhm @ 40A, 20V
Product Status	Active
Vgs(th) (Max) @ Id	2.8V @ 3mA
Supplier Device Package	-
Drain to Source Voltage (Vdss)	1200V (1.2kV)
Series	-
Package / Case	Module
Technology	Silicon Carbide (SiC)
Power - Max	395W (Tc)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	89A (Tc)
Mfr	Microchip Technology
Package	Bulk
Base Product Number	MSCSM120