MSCSM170HRM451AG
Microchip Technology
型号:
MSCSM170HRM451AG
封装:
-
批次:
-
数据手册:
描述:
PM-MOSFET-SIC-SP1F
购买数量:
递送:
付款:
库存 : 请查询
请发送RFQ，我们将立即回复。
IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。
如有兴趣了解 MSCSM170HRM451AG 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 MSCSM170HRM451AG 及其所需数量列入RFQ。
IICSEMI无需注册即可获取 MSCSM170HRM451AG 的最新报价。
MSCSM170HRM451AG 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客
产品信息
参数信息
用户指南
| Operating Temperature | -40°C ~ 175°C (TJ) |
| FET Feature | Silicon Carbide (SiC) |
| Configuration | 4 N-Channel (Three Level Inverter) |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3300pF @ 1000V, 3020pF @ 1000V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 178nC @ 20V, 232nC @ 20V |
| Mounting Type | Chassis Mount |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 45mOhm @ 30A, 20V, 31mOhm @ 40A, 20V |
| Product Status | Active |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3.2V @ 2.5mA, 2.8V @ 3mA |
| Supplier Device Package | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 1700V (1.7kV), 1200V (1.2kV) |
| Series | - |
| Package / Case | Module |
| Technology | Silicon Carbide (SiC) |
| Power - Max | 319W (Tc), 395W (Tc) |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 64A (Tc), 89A (Tc) |
| Mfr | Microchip Technology |
| Package | Bulk |
MSCSM170HRM451AG 标签
推荐型号
2000+日均询价数量
30,000,000标准产品数量
2800+全球品牌
15,000 ㎡库存仓库
信息
关注我们
快速链接
