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NXV55UNR

Nexperia USA Inc.

型号:

NXV55UNR

封装:

TO-236AB

批次:

-

数据手册:

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描述:

NXV55UN/SOT23/TO-236AB

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 352 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 8.7 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 66mOhm @ 1.9A, 4.5V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Supplier Device Package TO-236AB
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 340mW (Ta), 2.1W (Tc)
Series TrenchMOS™
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.9A (Ta)
Mfr Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.5V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)

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