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PMPB07R3ENAX

Nexperia USA Inc.

型号:

PMPB07R3ENAX

封装:

DFN2020M-6

批次:

-

数据手册:

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描述:

SMALL SIGNAL MOSFET FOR MOBILE

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 914 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 8.6mOhm @ 12A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package DFN2020M-6
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 1.9W (Ta), 12.5W (Tc)
Series TrenchMOS™
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 12A (Ta)
Mfr Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)

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