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PMPB10XNE,115

Nexperia USA Inc.

型号:

PMPB10XNE,115

封装:

DFN2020MD-6

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 20V 9A DFN2020MD-6

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 2175 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 34 nC @ 4.5 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14mOhm @ 9A, 4.5V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 900mV @ 250µA
Supplier Device Package DFN2020MD-6
Drain to Source Voltage (Vdss) 20 V
Power Dissipation (Max) 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Series -
Package / Case 6-UDFN Exposed Pad
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 9A (Ta)
Mfr Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number PMPB10

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