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PMXB360ENEAZ

Nexperia USA Inc.

型号:

PMXB360ENEAZ

封装:

DFN1010D-3

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 130 pF @ 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.5 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 450mOhm @ 1.1A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 2.7V @ 250µA
Supplier Device Package DFN1010D-3
Drain to Source Voltage (Vdss) 80 V
Power Dissipation (Max) 400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Series Automotive, AEC-Q100
Package / Case 3-XDFN Exposed Pad
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 1.1A (Ta)
Mfr Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number PMXB360

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