首页 / 单 FET，MOSFET / PMZB670UPE,315

PMZB670UPE,315

Nexperia USA Inc.

型号:

PMZB670UPE,315

品牌:

Nexperia USA Inc.

封装:

DFN1006B-3

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET P-CH 20V 680MA DFN1006B-3

购买数量:

递送:

付款:

库存 : 31930

最小起订量: 1 最小递增量: 1

数量

单价

总价

1

$0.4275

$0.4275
10

$0.31825

$3.1825
100

$0.180405

$18.0405
500

$0.119453

$59.7265
1000

$0.09158

$91.58
2000

$0.079638

$159.276
5000

$0.071678

$358.39

请发送询价，我们将立即回复。

IICSEMI作为全球著名的电子元器件产品分销商，销售来自世界顶级品牌商的多种电子元件，确保所有产品均经过严格质量控制，符合最高标准。如有兴趣了解 PMZB670UPE,315 的详细规格、配置、价格、供货周期及付款条款，请随时联系我们。为便于处理您的询价，请将 PMZB670UPE,315 及其所需数量列入RFQ。 IICSEMI无需注册即可获取 PMZB670UPE,315 的最新报价。 PMZB670UPE,315 最新信息：#规格#FAQ#数据手册#标签#相关产品#关联博客

产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)
FET Feature	-
FET Type	P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	87 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	1.14 nC @ 4.5 V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	850mOhm @ 400mA, 4.5V
Product Status	Not For New Designs
Vgs(th) (Max) @ Id	1.3V @ 250µA
Supplier Device Package	DFN1006B-3
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Power Dissipation (Max)	360mW (Ta), 2.7W (Tc)
Series	-
Package / Case	3-XFDFN
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	680mA (Ta)
Mfr	Nexperia USA Inc.
Vgs (Max)	±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	PMZB670