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PSMN1R5-40YSDX

Nexperia USA Inc.

型号:

PSMN1R5-40YSDX

封装:

LFPAK56, Power-SO8

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 40V 240A LFPAK56

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ)
FET Feature Schottky Diode (Body)
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 7752 pF @ 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 99 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 1.5mOhm @ 25A, 10V
Product Status Active
Vgs(th) (Max) @ Id 3.6V @ 1mA
Supplier Device Package LFPAK56, Power-SO8
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Power Dissipation (Max) 238W (Ta)
Series TrenchMOS™
Package / Case SC-100, SOT-669
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 240A (Ta)
Mfr Nexperia USA Inc.
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number PSMN1R5

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