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SSM3K316T(TE85L,F)

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

SSM3K316T(TE85L,F)

封装:

TSM

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 30V 4A TSM

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 270 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 4.3 nC @ 4 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 53mOhm @ 3A, 10V
Product Status Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id 1V @ 1mA
Supplier Device Package TSM
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Series -
Package / Case TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4A (Ta)
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Vgs (Max) ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number SSM3K316

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