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TPC6110(TE85L,F,M)

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

TPC6110(TE85L,F,M)

封装:

VS-6 (2.9x2.8)

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET P-CH 30V 4.5A VS-6

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type P-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 510 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 56mOhm @ 2.2A, 10V
Product Status Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id 2V @ 100µA
Supplier Device Package VS-6 (2.9x2.8)
Drain to Source Voltage (Vdss) 30 V
Power Dissipation (Max) 700mW (Ta)
Series U-MOSVI
Package / Case SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 4.5A (Ta)
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number TPC6110

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