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TPC8022-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

TPC8022-H(TE12LQ,M

封装:

8-SOP (5.5x6.0)

批次:

-

数据手册:

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描述:

MOSFET N-CH 40V 7.5A 8SOP

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature 150°C (TJ)
FET Feature -
FET Type N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 650 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 11 nC @ 10 V
Mounting Type Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs 27mOhm @ 3.8A, 10V
Product Status Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Supplier Device Package 8-SOP (5.5x6.0)
Drain to Source Voltage (Vdss) 40 V
Power Dissipation (Max) 1W (Ta)
Series -
Package / Case 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Technology MOSFET (Metal Oxide)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 7.5A (Ta)
Mfr Toshiba Semiconductor and Storage
Vgs (Max) ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Package Tape & Reel (TR)
Base Product Number TPC8022

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