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TPC8213-H(TE12LQ,M

Toshiba Semiconductor and Storage

型号:

TPC8213-H(TE12LQ,M

品牌:

Toshiba Semiconductor and Storage

封装:

8-SOP (5.5x6.0)

批次:

数据手册:

描述:

MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8

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产品信息

参数信息

用户指南

Operating Temperature	150°C (TJ)
FET Feature	Logic Level Gate
Configuration	2 N-Channel (Dual)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	625pF @ 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11nC @ 10V
Mounting Type	Surface Mount
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 2.5A, 10V
Product Status	Obsolete
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 1mA
Supplier Device Package	8-SOP (5.5x6.0)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60V
Series	-
Package / Case	8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max	450mW
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	5A
Mfr	Toshiba Semiconductor and Storage
Package	Tape & Reel (TR)
Base Product Number	TPC8213