TND65R180S 碳化硅 MOSFET｜低阻高速，TO‑252 封装赋能电源高密度设计
2026-08-18 17:59:35 611
在开关电源、PFC 功率校正、高压变换器、小型逆变器的开发中，器件导通损耗、开关速度、散热性能直接决定整机效率与功率密度。特诺半导体 TND65R180S，650V 碳化硅 MOSFET，TO‑252 (DPAK) 贴片封装，为中小功率高压电源方案带来出色选择。
器件拥有165mΩ 低导通电阻，25℃下连续漏极电流可达 20A，耐压 650V，兼顾高耐压与低导通损耗。采用 NMC 纳米镀膜工艺，有效降低结温 Tj 与热阻，具备优秀抗 EMI 能力，输入输出电容低，实现高速开关特性，支持高频化电路设计，轻松适配更高工作频率。
TO‑252 贴片封装，可直接贴装 PCB，支持多颗器件并联扩容，驱动简单友好。结温范围‑55~175℃，RthJC 仅 2.88℃/W，散热压力大幅降低，可缩减散热器体积，提升整机功率密度，减少 BOM 成本。内置性能优异 SiC 体二极管，反向恢复时间短，换向损耗小，适合 PFC、SMPS 开关电源、储能微型逆变器、高压转换器等场景，满足 RoHS 环保要求。
选择 TND65R180S，用碳化硅器件优势，实现更高效率、更小体积、更优 EMI 表现的电源产品设计。
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