TND65R380S 碳化硅 MOSFET｜高性价比 650V SiC 管，TO‑252 适配中小功率电源
2026-08-18 18:04:55 1108
追求碳化硅器件高速开关、低 EMI 优势，但电流等级需求不高，希望进一步优化物料成本，TND65R380S 650V 碳化硅 MOSFET，TO‑252 贴片封装，是高性价比的高压功率开关选择，广泛用于 PFC 功率校正、开关电源、功率逆变器、高压转换器等设备。
额定耐压 650V，25℃连续漏极电流 11A，Rds (on) 最大 440mΩ，NMC 纳米镀膜工艺优化热性能，降低器件工作结温，热阻 RthJC=2.88℃/W，工作结温‑55~175℃，宽温域稳定工作。
器件电容参数低，实现高速开关，优秀抗 EMI 性能，降低电源 EMI 整改难度；驱动简单，支持器件并联扩容。内置 SiC 体二极管，反向恢复损耗小，省去部分外部续流二极管。TO‑252 贴片封装，便于 SMT 批量焊接；相比硅 MOSFET，显著降低开关损耗，支持更高开关频率，缩减磁性元件和散热器尺寸，提升整机效率与功率密度。
RoHS 合规，面向工业电源、适配器、微型逆变等中小功率场景，TND65R380S 以碳化硅核心优势，给到成本友好的器件选型方案。
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