TND65R260S 碳化硅 MOSFET｜平衡成本与性能，TO‑252 高压功率器件优选
2026-08-18 18:02:13 334
很多电源设计项目，需要碳化硅的高速开关、低 EMI 优势，但不需要极致低导通电阻，追求性能与成本的平衡点，TND65R260S 正是为此而生，650V SiC MOSFET，TO‑252 封装，面向 PFC 模块、开关电源、功率逆变器、高压变换器应用。
器件耐压 650V，25℃连续电流 15A；VGS=18V 时 Rds (on) 典型 180mΩ，15V 驱动下 260mΩ，灵活适配 15V/18V 两种常用驱动电压。NMC 纳米镀膜工艺优化热特性，降低结温，热阻 RthJC=2.88℃/W，工作结温最高 175℃。
拥有低寄生电容，开关速度快，EMI 抑制能力强，简化整机 EMC 调试；器件易于驱动，支持并联使用，方便功率扩容。内置 SiC 本体二极管，反向恢复特性优异，减少续流损耗。相比传统硅 MOSFET，大幅降低开关损耗，允许电路工作更高频率，缩小变压器、电感体积，提升功率密度，减少散热器规格。
符合 RoHS 标准，贴片 TO‑252 封装，生产焊接便捷，适合批量工业化生产。对于中小功率开关电源、储能变流器、工业电源，TND65R260S 提供高性价比碳化硅解决方案。
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